Компания Samsung сообщила о начале массового производства первых в мире модулей флеш-памяти UFS 2.1 объёмом 1 ТБ. Накопитель именно такого объёма, по слухам, должен получить смартфон Samsung Galaxy S10+.

Новый чип, имеющий габариты 13х11,5 миллиметра, состоит из 16 слоев памяти V-NAND. Максимальная скорость чтения заявлена производителем на уровне 1000 МБ/с, тогда как записывать данные новинка может со скоростью не больше 260 МБ/с.

Выпуском 1-терабайтных модулей памяти занимается фабрика Samsung, расположенная на северо-западе Южной Корей.